CSS150R12B61200V150A
- 品牌：
科瑞半导体/Corisemi
- 封装：
IGBT模块
- 数量：
1000
- 备注：
电气特性: 1200V沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 变频器 伺服 逆变器 VCES=1200V，ICnom=150A/ICRM=300A
- 批号：
23+
- 价格：
CSP100R12B61200V100A
- 品牌：
科瑞半导体/Corisemi
- 封装：
IGBT模块
- 数量：
1000
- 备注：
电气特性: 1200V沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 变频器 伺服 逆变器 VCES=1200V，ICnom=100A/ICRM=200A
- 批号：
23+
- 价格：
CSP75R12B61200V75A
- 品牌：
科瑞半导体/Corisemi
- 封装：
IGBT模块
- 数量：
1000
- 备注：
电气特性: 1200V沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 变频器 伺服 逆变器 VCES=1200V，ICnom=75A/ICRM=150A
- 批号：
23+
- 价格：
CSP50R12H61200V50A
- 品牌：
科瑞半导体/Corisemi
- 封装：
IGBT模块
- 数量：
1000
- 备注：
电气特性: 1200V沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 变频器 伺服 逆变器 VCES=1200V，ICnom=50A/ICRM=100A
- 批号：
23+
- 价格：
CSP40R12H61200V40A
- 品牌：
科瑞半导体/Corisemi
- 封装：
IGBT模块
- 数量：
1000
- 备注：
电气特性: 1200V沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 变频器 伺服 逆变器 VCES=1200V，ICnom=40A/ICRM=80A
- 批号：
23+
- 价格：
CSP40R12G61200V40A
- 品牌：
科瑞半导体/Corisemi
- 封装：
IGBT模块
- 数量：
1000
- 备注：
电气特性: 1200V沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 变频器 伺服 逆变器 VCES=1200V，ICnom=40A/ICRM=80A
- 批号：
23+
- 价格：
CSP25R12H61200V25A
- 品牌：
科瑞半导体/Corisemi
- 封装：
IGBT模块
- 数量：
1000
- 备注：
电气特性: 1200V沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 变频器 伺服 逆变器 VCES=1200V，ICnom=25A/ICRM=50A
- 批号：
23+
- 价格：
CSP25R12G61200V25A
- 品牌：
科瑞半导体/Corisemi
- 封装：
IGBT模块
- 数量：
1000
- 备注：
电气特性: 1200V沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 变频器 伺服 逆变器 VCES=1200V，ICnom=25A/ICRM=50A
- 批号：
23+
- 价格：
CSP15R12F61200V15A
- 品牌：
科瑞半导体/Corisemi
- 封装：
IGBT模块
- 数量：
1000
- 备注：
电气特性: 1200V沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 变频器 伺服 逆变器 VCES=1200V，ICnom=15A/ICRM=30A
- 批号：
23+
- 价格：
CSF600R12D61200V600A
- 品牌：
科瑞半导体/Corisemi
- 封装：
IGBT模块
- 数量：
1000
- 备注：
电气特性: 1200V沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 变频器 UPS 伺服 逆变器 VCES=1200V，ICnom=600A/ICRM=1200A
- 批号：
23+
- 价格：
深圳市华深达实业发展有限公司
- 联系人：
林生
- 电话：
0755-83780378
- 地址：
深圳福田区华强北赛格科技园三栋东十楼A9